عالية المقاومة الحالية شوتكي ديود لإمدادات الطاقة التبديل عالية التردد

منتوج وصف

عالية المقاومة الحالية شوتكي ديود لإمدادات الطاقة التبديل عالية التردد

MBR20100.pdf

يعتمد هيكل الدائرة الداخلية لمعدل شوتكي النموذجي على ركيزة من أشباه الموصلات من النوع N ، حيث يتم تشكيل طبقة N-epitaxial مع الزرنيخ كمشوب.يستخدم الأنود مواد مثل الموليبدينوم أو الألومنيوم لصنع الطبقة الحاجزة.يستخدم ثاني أكسيد السيليكون (SiO2) للتخلص من المجال الكهربائي في منطقة الحافة وتحسين قيمة جهد تحمل الأنبوب.الركيزة من النوع N لها مقاومة صغيرة جدًا على الحالة ، وتركيز المنشطات أعلى بنسبة 100 ٪ من تركيز الطبقة H.يتم تشكيل طبقة كاثود N + تحت الركيزة لتقليل مقاومة التلامس للكاثود.من خلال تعديل المعلمات الهيكلية ، يتم تشكيل حاجز شوتكي بين الركيزة من النوع N ومعدن الأنود ، كما هو موضح في الشكل.عندما يتم تطبيق انحياز أمامي على طرفي حاجز شوتكي (يتم توصيل معدن الأنود بالقطب الموجب لمصدر الطاقة ، والركيزة من النوع N متصلة بالقطب السالب لمصدر الطاقة) ، طبقة حاجز شوتكي يضيق ويصبح مقاومته الداخلية أصغر ؛خلاف ذلك ، إذا تم تطبيق انحياز عكسي على طرفي حاجز شوتكي ، فإن طبقة حاجز شوتكي تصبح أوسع وتصبح مقاومتها الداخلية أكبر.

سمات
 

1. هيكل الكاثود المشترك
2. انخفاض فقدان الطاقة والكفاءة العالية
3. ارتفاع درجة حرارة تقاطع التشغيل
4. حلقة الحرس لحماية الجهد الزائد ، وموثوقية عالية
5. منتج بنفايات
 

التطبيقات
 

1. عالية التردد التبديل امدادات الطاقة

2. الثنائيات العجلة الحرة ، تطبيقات حماية القطبية
 

الخصائص الرئيسية
 

إذا (AV)	10 (2 × 5) أ
VF (حد أقصى)	0.7V (@ Tj = 125 درجة مئوية)
تي جيه	175 درجة مئوية
VRRM	100 فولت

 

رسالة المنتج
 

نموذج	العلامات	طَرد
MBR10100	MBR10100	TO-220 ج
MBRF10100	MBRF10100	TO-220F
MBR10100S	MBR10100S	TO-263
MBR10100R	MBR10100R	TO-252
MBR10100 فولت	MBR10100 فولت	TO-251
MBR10100C	MBR10100C	TO-220

 

النسب المطلقة (ح = 25 درجة مئوية)
 

معامل			رمز	قيمة	وحدة
ذروة الجهد العكسي المتكررة			VRRM	100	الخامس
أقصى جهد مانع للتيار المستمر			VDC	100	الخامس
متوسط ​​التيار إلى الأمام	TC = 150 درجة مئوية (TO-220/263/252) TC = 125 درجة مئوية (TO-220F)	لكل جهاز   لكل ديود	إذا (AV)	10 5	أ
اندفاع تيار أمامي غير متكرر 8.3 مللي ثانية (طريقة JEDEC)			IFSM	120	أ
أقصى درجة حرارة للتقاطع			تي جيه	175	درجة مئوية
مدى درجة حرارة التخزين			TSTG	-40 ~ + 150	درجة مئوية