 |
SMD Varistor ذو جهد عكسي ذروي عالٍ مصنف لـ DDR5 16Gb A-Die SDRAM فعال
تفاصيل المنتج:
| مكان المنشأ: | دونغقوان، قوانغدونغ، الصين |
| اسم العلامة التجارية: | UCHI |
| إصدار الشهادات: | SGS.MA.CTI.CQC |
| رقم الموديل: | DDR5 16 جيجا بايت SDRAM A-Die |
شروط الدفع والشحن:
| الحد الأدنى لكمية: | 10000 قطعة |
|---|---|
| الأسعار: | قابل للتفاوض |
| تفاصيل التغليف: | الجزء الأكبر / الشريط |
| وقت التسليم: | 5-7 أيام |
| شروط الدفع: | T / T ، باي بال ، ويسترن يونيون ، المال غرام |
| القدرة على العرض: | 5000،000،000 جهاز كمبيوتر شخصى شهريا |
|
معلومات تفصيلية |
|||
| سلسلة الإنتاج: | مكثف SMD | الحد الأقصى الحالي: | يختلف (على سبيل المثال، حتى عدة أمبيرات) |
|---|---|---|---|
| تكنولوجيا: | أكسيد المعادن | امتصاص الطاقة: | عادة 0.1J إلى 10J |
| التطبيقات: | الحماية من زيادة التيار في الدوائر الإلكترونية | تصنيف الجهد DC: | 385 فولت |
| اسم جيد: | سمد مكثف 10D471K 470 فولت 10% | مقاومة الطاقة: | 0.02JB 0.05J |
| مقاومة العزل: | عادة> 100 ميجا أوم | صالة: | جبل SMT خاص |
| درجة حرارة التخزين: | -55 +125 | جهد التيار المتردد: | 175-385 فولت |
| الجهد المتغير: | 470 فولت+/-10% | ||
| إبراز: | SMD Varistor لـ DDR5 SDRAM,Varistor ذو جهد عكسي ذروي عالٍ,SMD Varistor متوافق مع A-Die |
||
منتوج وصف
DDR5 16Gb A-Die SDRAM
1.1 الخصائص الرئيسية
• تتوافق مع معيار JEDEC؛
• إمدادات الطاقة: VDD/VDDQ = 1.1V (1.067V (-3%) إلى 1.166V (+6%) ؛
• إمدادات الطاقة: VPP = 1.8V (1.746V (-3%) إلى 1.908V (+ 6%) ؛
• حزمة JEDEC القياسية: 82-ball FBGA لـ x4/x8، 102-ball FBGA لـ x16؛
• تكوين المصفوفة
• 32 مصرف ((8 مجموعات مصرفية ، 4 بنوك لكل مجموعة مصرفية) لـ x4/x8 ؛
• 16 مصرف ((4 مجموعات مصرفية ، 4 بنوك لكل مجموعة مصرفية) لـ x16 ؛
• بنية 16n-bit prefetch؛
• طول الانفجار (BL): BL16 ، BC8 OTF ، BL32 ((اختياري) ، BL32 OTF ((اختياري) مدعومة ؛ تأخير CAS القابل للبرمجة (CL) ؛
• تأخير كتابة CAS القابل للبرمجة (CWL) ؛
إيقاف التشغيل في حالة الوفاة (ODT) عبر إعداد سجل الوضع: RTT_PARK، RTT_WR، RTT_NOM_WR، RTT_NOM_RD، DQS_RTT_PARK
نفس عملية تحديث البنك وجميع عمليات تحديث البنك لنظام التحديث العادي ونظام تحديث الحبوبية الدقيقة. إعادة تحديث الحبيبات الدقيقة 2x (0 °C ≤ TCase ≤ 85 °C) ، وضع 4x (85 °C ≤ TCase ≤ 95 °C) لـ tRFC الأصغر ؛
• أجهزة إرسال البيانات التفاضلية ذات الاتجاهين؛
• واجهة POD ((Pseudo Open Drain) لإدخال البيانات / الإخراج ، وإدخال الأوامر والعناوين ؛
• يتم دعم وضع اختبار الاتصال ((TEN) ؛
• VREF الداخلية لإدخالات البيانات وإدخالات الأوامر/العناوين واختيار الشريحة.
• CAI ((تحويل عنوان الأمر) ؛
• يتم دعم الوضع 1N/2N للقيادة.
• يتم دعم معادلة ردود الفعل القرارية بـ 4 نقرات ((DFE) ؛
• يتم دعم اختبار معدل خطأ الحلقة والبيت.
• يتم دعم hPPR/sPPR؛ يتم دعم sPPR Do/undo/Lock؛
• أنماط التدريب:
• تدريب VrefDQ / VrefCA / VrefCS
• وضع التدريب القراءة
• وضع تدريب CA
• وضع التدريب
• تدريب VREFDQ لكل دبوس
• كتابة وضع التدريب على المستوى
• ضبط دورة العمل (DCA) للقراءة - العالمية
• لكل دبوس DCA ((معدل دورة العمل) للقراءة - لكل دبوس ((DQ)) في كل DRAM (PDA)
• وضع الحد الأقصى لتوفير الطاقة (MPSM) ؛
• القيادة متعددة الأغراض (MPC) ؛
• إعادة ضبط غير متزامن للطاقة
درجة حرارة الحجرة التشغيلية: 0°C ≤ TCase ≤ 95°C
• دعم وضع التجديد التلقائي وتجديد الذاتي.
• متوسط فترة التحديث:
• 3.9 μs/32ms، دورات 8K عند 0°C ≤ TCase ≤ 85°C؛ • 1.95 μs/16ms، دورات 8K عند 85°C < TCase ≤ 95°C؛
إدخالات وقراءة/كتابة قابلة للبرمجة؛
• يتم دعم رمز الاضافة الدورية (CRC) لتكامل البيانات القراءة / الكتابة ؛ مركز ECC على الشاشة;
• الشفافية والخطأ في ECC؛
• MBIST / mPPR;
• لا يتم دعم وضع إيقاف التروس
• وضع اختبار محرك خروج الحزمة.
• لا يتم دعم التجديد الذاتي للمصفوفة الجزئية ((PASR) ؛
• متوافقة مع RoHS
ملاحظة:
الوظائف الموصوفة ومواصفات التوقيت المدرجة في ورقة البيانات هذه هي لنظام التشغيل DLL Enabled (التشغيل العادي) ، ما لم ينص على خلاف ذلك على وجه التحديد.
مواصفات حزمة DDR5 SDRAM
هذا الفصل سوف يقدم أساسا أبعاد الحزمة والحزمة في تكوينات x4 / x8 / x16 والتي قد تساعد على مطابقة جهازك.
DDR5 SDRAM حجم الحزمة في الصفحة 7
• DDR5 SDRAM x8 Ballout باستخدام MO-210-AN وصف في الصفحة 9
تريد أن تعرف المزيد من التفاصيل حول هذا المنتج
